先端デバイス

• インラインX線膜厚・密度モニター
  XTRAIA MF-3000

  

  300mmパターンウェーハの膜厚・組成・結晶性分析装置、In Line QC対応

  パターンウェーハを高精度・高スループット計測が可能です。300mmプロセス検査装置。マイクロX線ビームモジュール　COLORS™の搭載で、高精度に入射角を設定できます。

  展示内容

  装置紹介半導体インラインプロセス　Ｘ線メトロロジー計測のスタンダードパターンウェーハを高精度・高スループット計測。300mmプロセス検査装置
  インライン化することにより装置1台でXRD,XRR,XRFを自動化できます。

  アプリケーション組成分析への適用 ・PCM/OTS測定：XRRとXRFを組み合わせた解析により組成と膜厚を同時に決定できる。
  ・ニッケルシリサイド測定：XRDによりシリサイド膜の組成測定が可能。

• X線ナノ形状測定装置
  CD-SAXS XTRAIA CD-3000シリーズ

  

  最先端デバイスの微細形状（浅型パターン・深型パターン）測定装置

  非破壊で断面プロファイル、深さ、形状、Tiltなどナノ構造の測定が可能。断面形状を反映させたＸ線回折像を取得できます。

  展示内容

  装置紹介CD-SAXSによるパターン非破壊計測半導体デバイスの形状ごとに最適な装置をラインナップ。
  非破壊で断面プロファイル、深さ、形状、Tiltなどナノ構造の測定が可能です。
  ライブラリ等の事前準備なく測定・解析が開始可能。レジスト等有機材料もシュリンクなく正確に測定します。

  アプリケーションT-SAXSによるDeep Hole非破壊計測 ・T-SAXS（赤ライン）と断面SEMの重ね合わせ
  ・T-SAXSによる側壁TiN膜厚プロファイル
  ・ウェーハ面内におけるCDと面内チルト角度の分布
  ・深さ方向のCDプロファイル

• VPDインテグレートモデル
  全反射蛍光X線測定装置 TXRF-V310

  

  300mmウェーハ向け金属汚染分析装置

  全反射蛍光X線方式を採用し、ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析する装置です。300mm、200mmウェーハに対応し、軽元素Naから重元素Uまでの汚染元素を極微量で分析できます。

  製品ページ

  展示内容

  装置紹介300mm対応　汚染分析モニターラインナップ従来のTXRF測定に加えVPD処理装置搭載。遷移金属で10E7レベルの分析が可能。300mmウェーハ対応。
  300㎜ウェーハでSweeping測定とVPD測定が両方できます。

  アプリケーション進化するVPD金属汚染分析 ・親水性基板でもVPDーTXRF測定が可能。
  ・エッジ・ベベル部でもVPD-TXRFの測定が可能。

• 全反射蛍光X線測定装置
  TXRF 310Fab

  

  300mmウェーハ向け超高速金属汚染分析装置、次世代金属汚染分析装置

  従来のマッピング分析だけではなく、全面高速測定、ゼロエッジ測定、裏面測定が可能。300mmFab（自動化ライン）対応装置。

  製品ページ

  展示内容

  装置紹介超高速マッピングで瞬時に金属汚染分析超高速Sweeping測定による金属汚染分析ができます。次世代の全反射蛍光X線分析装置です。

• 薄膜評価用蛍光X線測定装置
  WaferX 310

  

  300mmメタル膜厚測定、および濃度測定装置、Bなど軽元素の測定可、Al薄膜の膜厚測定など

  膜厚組成分析のデファクトスタンダード機。300mmFabのメタル膜厚・膜組成・Bなど元素濃度を生産工程にて管理が可能。

  製品ページ

  展示内容

  装置紹介先端デバイス膜厚計測のスタンダード（WX310）膜厚組成分析のデファクトスタンダード機。300mmFabのメタル膜厚・膜組成・Bなど元素濃度を生産工程にて管理が可能。
  300㎜ウェーハ膜厚組成分析のデファクトスタンダード機です。

• インラインX線回折/X線反射率測定装置
  XTRAIA XD 3200/3300

  

  300mmパターンウェーハの膜厚・組成・結晶性分析装置、SiGe多層膜の膜厚測定など

  300㎜ウェーハ対応。 X線回折装置。高分解能ロッキングカーブによりGAAにおける、SiGe積層膜の膜厚と組成が分析可能。

   

  展示内容

  装置紹介半導体インラインプロセスXRD/XRR用途に応じて最適な装置構成を選択できるインラインXRD/XRR
  多層積層膜、金属薄膜、圧電薄膜、SiGe、化合物半導体の膜厚、組成分析など様々なアプリケーションに対応しています。
  インライン化することによりXRDとXRRの分析を自動化できます。

  アプリケーションSiGe膜厚測定事例 300㎜ウェーハ対応。X線回折（XRD）装置。高分解能ロッキングカーブによりGAAにおける、SiGe積層膜の膜厚と組成が分析可能。

• ハイブリッドXRFおよび
  マイクロXRF Fabツール Onyx 3000

  

  SnAgバンプの組成、3次元形状測定装置。300㎜パターンウェーハ、Advanced Packageにも対応

  300mm、200mmウェーハ上におけるSn,Agバンプの組成と形状が測定可能。非破壊、非接触で分析可能なエネルギー分散型蛍光X線分析装置。

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  展示内容

  装置紹介超微小領域の膜厚・組成測定（マイクロスポットXRF）300mm、200mmウェーハ上におけるSn,Agバンプの組成と形状が測定可能。非破壊、非接触で分析可能なエネルギー分散型蛍光X線分析装置
  インライン化することによりXRFを自動化できます。

パワーデバイス

• 全反射蛍光X線測定装置
  TXRF 3760

  

  200mm以下のウェーハ向け表面汚染分析装置、SiCなど化合物半導体に対応

  200mmまでのウェーハ対応。ウェーハ表面汚染においてNa～Uまでの元素が測定可能。SMIF及びE84（OHT、AGV）対応。

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  展示内容

  装置紹介SiC・パワー半導体対応 汚染分析モニターラインナップ（TXRF3760 SiC対応）200mmまでのウェーハ対応。ウェーハ表面汚染においてNa～Uまでの元素が測定可能。SMIF及びE84（OHT、AGV）対応。
  SiCをはじめとするパワーデバイスの表面汚染分析ができます。

  アプリケーションSiC測定例：Sweeping-TXRF / ZEE-TXRF SICA88パーティクルリンク機能 ・TXRFの優位性
  ・SiC・パワー半導体測定に便利な機能
  ・パーティクルリンク機能

• X線トポグラフイメージングシステム XRTmicron

  

  ラボベースで非破壊で結晶欠陥をみることができる装置

  200㎜までのウェーハ対応。全自動＆ハイスループット化を実現、結晶構造/欠陥評価による材料開発・品質管理に貢献します。

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  展示内容

  装置紹介SiCエピ欠陥の3ch解析技術（XRTmicron）全自動＆ハイスループット化を実現。結晶構造/欠陥評価による材料開発・品質管理に貢献
  ラボベースで非破壊で結晶欠陥をみることができます。

Iot：MEMS・センサー・ RFデバイス

• 薄膜評価用蛍光X線測定装置
  AZX 400

  

  メタル膜厚測定、および濃度測定装置、Bなど軽元素の測定が可能、Al薄膜の膜厚測定なども可能

  R＆Dから少量多品種用途まで幅広く対応。波長分散型蛍光X線装置であり、軽元素・サブnmの超薄膜膜厚を高精度に分析が可能。

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  展示内容

  装置紹介あらゆる膜厚・膜種分析に対応B等の軽元素からメタル膜の超薄膜・濃度測定まで柔軟に対応、R＆D～少量多品種生産用モデル。
  B・C・N・O等の軽元素から重元素まで1台で分析可能。

  アプリケーションMEMSの膜厚・組成分析 ・PZT膜の25点マッピング分析例（200mmウェーハ）
  ・PZT/Pt積層膜の定性分析例

• 薄膜評価用蛍光X線測定装置
  WAFER/DISK ANALYZER 3650

  

  各種薄膜の膜厚と組成を、同時に、非破壊、非接触で分析

  200mmまでのウェーハ対応。メタル膜厚・膜組成・Bなどの元素濃度を生産工程にて管理が可能。

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  展示内容

  装置紹介あらゆる膜厚・膜種分析に対応高スループット、SECS/GEMオンライン通信にも対応、量産QCモデル。
  同時型WD-XRFのため高いスループットを実現しています。

  アプリケーションMEMSの膜厚・組成分析 ・ScドープAlN膜の膜厚・組成分析例

• X線膜厚・密度測定装置
  XHEMIS EX-2000

  

  200mmウェーハ向け膜厚・組成・密度分析が可能な複合装置、In Line QC対応

  100～200mmウェーハの蛍光Ｘ線(XRF)およびＸ線反射率(XRR)による非接触、非破壊な膜厚・密度測定装置。メタル薄膜を短時間で測定可能。

  製品ページ

  展示内容

  装置紹介200mm対応 膜厚測定装置　～薄膜プロセス開発から品質管理まで～100～200mmウェーハの蛍光Ｘ線(XRF)およびＸ線反射率(XRR)による非接触、非破壊な膜厚・密度測定装置。メタル薄膜を短時間で測定可能。
  標準試料が不要で、X線反射率法（XRR）と蛍光X線分析（XRF）を組み合わせて、幅広い膜厚・膜種に対応しています。