AppNote B-XRD2006: インプレーン逆格子マップ法による ZnO 薄膜の方位評価
インプレーン逆格子マップによるエピタキシャル膜 および極薄バッファー層の結晶方位評価
ZnOは透明導電膜の新しい材料として注目を集めており、フラットパネルディスプレイや白色LEDへの応用が期待されています。薄膜状態の材料評価では、基板と膜の結晶方位の関係を知ることが重要です。X線回折装置でインプレーン逆格子マップを用いると、試料面内方向の結晶方位の評価を行うことが可能です。