AppNote B-XRD2033: 反射X線トポグラフィによる シリコンカーバイド単結晶基板の転位観察
シリコンカーバイド(以下SiC)単結晶基板は高い絶縁破壊電界強度を持つことに加え、これまで多く利用されているシリコンよりもバンドギャップが大きいことから、高速なスイッチング動作と高温条件下でのリーク電流の低減を実現した次世代パワー半導体デバイス材料として注目されています。より高品質なデバイスとするためには単結晶基板内に存在する種々の欠陥の制御が重要です。基板表面近傍にある結晶の乱れに対して感度が高い反射X線トポグラフィでは、単結晶基板表面近傍に存在する転位や積層欠陥の分布状態を可視化することが可能になります。