AppNote B-XRD2034: ロッキングカーブ測定による III-V 族窒化物薄膜のツイスト幅評価
ロッキングカーブ測定による III-V 族窒化物薄膜のツイスト幅評価
深紫外線LEDは、水銀ランプに代わる環境負荷の少ない紫外線源として普及が望まれています。近年は特にその殺菌機能が注目を集めており、早期の実用化が期待されています。発光効率向上と長寿命化には、AlGaN発光層のベースとなるAlN層の高品質化が求められます。本測定例では、AlN層の刃状貫通転位密度の指標として用いられる面内回転方向の結晶方位分布(ツイスト幅)の適切な評価方法を検討しました。