高速逆格子マップによるIII-V 族窒化物薄膜の 結晶方位の乱れた成分の検出

深紫外線LEDは、水銀ランプに代わる環境負荷の少ない紫外線源として普及が望まれています。近年はその殺菌機能が特に注目を集めており、早期の実用化が期待されています。発光効率向上と長寿命化には、AlGaN発光層のベースとなるAlN層の高品質化が求められます。AlN層の結晶性評価にはロッキングカーブ測定が利用されますが、薄膜中には主要成分に加えて結晶方位が大きく変化した成分が混在する可能性もあります。本測定例では、高速逆格子マップ測定により、結晶方位が大きく乱れた成分の検出を試みました。