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【論文掲載】2021年9月21日付 Journal of Crystal Growth誌に論文が公開されました。筆頭著者:X線研究所 稲葉克彦

GaNとの格子不整合や熱膨張係数差が小さいScAlMgO4 (SAM) という新しい結晶のほぼ無転位の高品質基板が育成され、その結晶性や欠陥組織について評価しました。
XRTmicronを用いた透過X線トポグラフィにより欠陥評価を行いました。また、SmartLabによる高分解能測定からは、0.0020度(約7.2秒)と極めて狭いロッキングカーブ幅であることが確認されました。

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126322