GaNとの格子不整合や熱膨張係数差が小さいScAlMgO4 (SAM) という新しい結晶のほぼ無転位の高品質基板が育成され、その結晶性や欠陥組織について評価しました。
XRTmicronを用いた透過X線トポグラフィにより欠陥評価を行いました。また、SmartLabによる高分解能測定からは、0.0020度(約7.2秒)と極めて狭いロッキングカーブ幅であることが確認されました。
GaNとの格子不整合や熱膨張係数差が小さいScAlMgO4 (SAM) という新しい結晶のほぼ無転位の高品質基板が育成され、その結晶性や欠陥組織について評価しました。
XRTmicronを用いた透過X線トポグラフィにより欠陥評価を行いました。また、SmartLabによる高分解能測定からは、0.0020度(約7.2秒)と極めて狭いロッキングカーブ幅であることが確認されました。