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TXRF 3800e

 

全反射蛍光X線方式を採用し、ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析する装置です。封入型X線管を採用した低COO (Cost of Ownership) モデルで、液体窒素も不要です。~200mmウェーハに対応し、遷移金属Sから重元素Uまでの汚染元素を極微量で分析できます。ウェーハからの回折X線の妨害を除くステージ駆動方式を採用。正確かつ高精度な汚染元素分析が可能です。ウェーハ面内高速汚染マッピング測定 「Sweeping-TXRF機能」 や ウェーハエッジ近傍の測定を可能にした 「ZEE-TXRF機能」など、多彩な機能を搭載し、半導体量産工程やプロセス開発における汚染管理を強力にサポートします。

全反射蛍光X線分析装置

ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析

 

封入型X線管と新設計入射X線モノクロメーターを採用

ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 109 atoms/cm2レベルの分析ができます。

低COO (Cost Of Ownership) 設計

封入型X線管方式の採用、真空ポンプ削減、液体窒素不要、オイルレストランス採用など、イニシャルコストとランニングコストを低減しました。

1ターゲット2ビーム方式を採用

2種類の入射X線モノクロメーターにより、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。 S~Uまで連続的に高精度自動分析を行います。

回折線除去により散乱線の影響を極小化

高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、X線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。 ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。

異物検査座標データとの座標リンクが可能

異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。

ウェーハ面内高速汚染スクリーニング 「Sweeping-TXRF機能」

ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。 従来の面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。 150mmウェーハ全面の5×1010 atoms/cm2 の汚染検出を 僅か20分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。

エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定 「ZEE-TXRF機能」

これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。 汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。

各種CIM/FAに対応

ホストコンピューターとSECS通信可能で、各種CIM/FAに対応します。 オープンカセットの他、SMIF PODにも対応可能 (オプション)です。

諸元/仕様

製品名 TXRF 3800e
手法 全反射蛍光X線(TXRF)
用途 すべての製造工程におけるウェーハ汚染を測定するためのSからUまでの元素分析
テクノロジー 液体窒素フリー検出器を備えた二重ビームTXRFシステム
主要コンポーネント 最大200 mmウェーハ、XYθサンプルステージシステム、真空ウェーハ内ロボット搬送システム
オプション SECS / GEM通信ソフトウェア スイープTXRFソフトウェア
制御(PC) 内部PC、MS Windows® OS、
本体寸法 1000 (W) x 1760 (H) x 948 (D) mm
質量 100 kg(本体)
電源 三相 200 VAC 50/60 Hz, 100 A