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WaferX 310
  • 各種薄膜の膜厚・組成を、同時に非破壊、非接触で分析
  • FabでのスタンダードFOUP/SMIFインターフェースを装備
  • 様々なAMHSに対応、ホストコンピューターとSECS/GEMプロトコルの対応
  • BPSG膜中のボロン分析など、超軽元素も高精度に分析可能
  • XYθZ駆動方式試料ステージ(特許方式)により各種メタル膜で回折線の影響を回避
  • 高感度ホウ素分析(AD-ホウ素チャンネルあり)
  • 日常校正作業を全自動化し、オペレーターの作業負担を軽減

薄膜評価用蛍光X線分析装置

300mm、200mmウェーハ上の各種薄膜の膜厚・組成を、同時に非破壊、非接触で分析可能な波長分散型蛍光X線分析装置(WD-XRF)

 

300mm、200mmウェーハ上の各種薄膜の膜厚・組成を、同時に非破壊、非接触で分析可能な波長分散型蛍光X線分析装置(WD-XRF)です。GEM300に対応し、300mmFabでのインライン仕様に対応しています。XYθZ駆動方式試料ステージ(特許方式)により、各種メタル膜で回折線の影響を回避した正確な分析が可能です。4kWハイパワーX線管の採用により、微量元素の測定を可能にしました。また高感度ボロン検出器の搭載による BPSG膜中のボロン分析など、超軽元素も高精度に分析可能です。上面照射方式では初めての試料高さ補正機能や、Auto Cal (全自動デイリーチェック・強度補正機能)を搭載しています。

微量元素の濃度・組成分析に対応

軽元素から重元素まで幅広い元素に対応 : 4Be~92U

高感度ボロン検出器 AD-Boron 

ボロン分析能力向上など、常に新しい光学系を開発し分析精度や安定度の向上を実現しています。 また、安定化のために恒温化機構・真空度安定化機構を標準装備しています。

X-Y-θ-Z駆動ステージ

X-Y-θ-Z駆動方式の試料ステージと測定方向設定プログラムにより、ウェーハ全面で正確な膜厚・組成分布測定ができます。 強誘電体薄膜も回折線の影響がありません。

アプリケーション

半導体デバイス BPSG、SiO2、Si3N4、・・Doped polySi(B,P,N,As)、Wsix、・・AlCu、TiW、TiN、TaN、・・PZT、BST、SBT、・・MRAM、・・  
金属膜 W、Mo、Ti、Co、Ni、Al、Cu、Ir、Pt、Ru、・・   
High-κ/メタルゲート Al, La, Hf、・・・  
ソルダーバンプ

豊富な固定ゴニオメーターをラインナップ

膜厚や膜構造に応じた最適な固定ゴニオメータをご提供します。 Wsix 膜がSiウェーハ上で分析できる専用光学系も準備しています。

全自動装置日常管理機能 AutoCal

正確な分析値を得るためには、装置が正しく較正されていなければなりません。そのためには管理ウェーハとして、チェックウェーハやPHA調整用ウェーハを定期的に測定して、装置を健康状態に保つことが欠かせません。この日常校正作業を全自動化し、オペレーターの作業負担を軽減します。 それが、『AutoCal 機能』です。

300mmFab対応

FabでのスタンダードFOUP/SMIFインターフェースを装備、300mm/200mmウェーハに対応します。 また様々なAMHSに対応、ホストコンピューターとSECS/GEMプロトコルの対応で、CIM/FAを支えます。

諸元/仕様

製品名 WaferX 310
手法 波長分散型蛍光X線分析(WD-XRF)
用途 300 mm、200 mm、ウェーハ上の各種薄膜の膜厚・組成
テクノロジー 4 kWハイパワーX線源、ファクトリーオートメーションでWDXRFを処理
主要コンポーネント 最大21チャンネル、固定タイプ(₄Be〜₉₂U)、スキャンタイプ(₂₂Ti〜₉₂U)、CEマーク、GEM-300、SEMI S2 / S8
オプション 300 mmファクトリーオートメーション
制御(PC) 内部PC、MS Windows® OS
本体寸法 1200 (W) x 1950 (H) x 2498 (D) mm
質量 1166 kg (本体)
電源 三相 200 VAC 50/60 Hz, 50 A