エピタキシャル薄膜の結晶欠陥は、高性能な半導体デバイスを実現する上で障害の一つとなります。エピタキシャル薄膜には、単結晶基板から引き継いだ結晶欠陥が発生することがあり、成膜前に単結晶基板のグレインや結晶欠陥を評価することが重要です。試料面内の結晶欠陥分布を視覚的に観察する手法として、Ｘ線トポグラフィーが利用されています。全自動多目的Ｘ線回折装置 SmartLabに高感度Ｘ線CCDカメラ XsightTM Micron FCを組み合わせると、専用機で測定したような高解像度のトポグラフが撮影できます。