Skip to main content
TS-FETT
  • フェムトアンペアの電流計測技術により、キャリアの非常に少ない材料(たとえば絶縁体)でも評価可能です。
  • 光励起をおこなうことにより、バンドギャップの大きなGaNやSiCなどの材料でもディフェクトによるトラップ特性などの評価が可能です。
  • 熱伝導と絶縁性を兼ね備えた専用試料ホルダーにより、温度分布によって生じるゼーベック効果や接触起電力による影響を少なくすることができます。このためバックグラウンド電流に埋もれていた情報を取り出すことが可能になります。
  • ワイヤーボンディング対応試料ホルダーを採用しているため、ベタ膜のみでなくTEG (Test Element Group)試料の評価も可能になりました。
  • 有機ELなどの評価用封止セルにも対応可能です。
  • 応用範囲:有機EL(劣化評価、駆動時間による輝度低下、酸素や水分による影響、発光層の評価)、高誘電率絶縁材料(High-K),強誘電体材料(FeRAM)、半導体(結晶表面欠陥の表面処理による劣化)
  • 測定温度範囲:-180~350℃、測定雰囲気:He雰囲気、電流測定範囲:±5×10-15~±1×10-3A、印加電圧範囲:-500~+500V

  *本装置は、三菱電機株式会社殿との共同開発製品です。

エレクトロントラップ測定システム

不純物や結晶欠陥の違いに起因するトラップ準位の変化を、フェムトアンペアレベルの微少な脱トラップ電流の変化として測定します。この脱トラップ電流は、試料内部の不純物準位や欠陥と密接な関係があり、この電流を測定することにより、微細構造や電子状態の情報が得られます。半導体などの電子材料の製造プロセスにおける中間素材から最終製品まで、物性および性能面の比較評価が可能です。